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MII 300-12A4
MID 300-12A4
MDI 300-12A4
E on
80
MJ
60
E on
t d(on)
160
ns
120
t
80
MJ
E OFF 60
t D(OFF)
800
ns
600
t
40
t r
V CE  = 600V
80
40
E OFF
V CE  = 600V
400
V GE  = ±15V
V GE  = ±15V
20
R G = 3.3 ?
T J = 125°C
40
20
R G = 3.3 ?
T J = 125°C
200
0
0
100
200
300
0
400 A 500
0
0
100
200
300
t F
400
0
A 500
I C
I C
FIG. 7 
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING
FIG. 8 
TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
times versus collector current
E on
100
MJ
80
60
V CE = 600V
V GE  = ±15V
I C = 200A
T J = 125°C
E on
t d(on)
400
ns
320
240
t
E OFF
50
MJ
40
30
V CE = 600V
V GE  = ±15V
I C = 200A
T J = 125°C
E OFF
t D(OFF)
2000
ns
1600
1200
t
40
20
t r
160
80
20
10
800
400
t F
0
0
4
8
12
16
20
0
24 ? 28
0
0
4
8
12
16
20
0
24 ? 28
R G
R G
FIG. 9 
TYP. TURN ON ENERGY AND SWITCHING 
FIG.10  TYP. TURN OFF ENERGY AND SWITCHING
500
A
400
times versus gate resistor
1
K/W
0.1
times versus gate resistor
I CM 
300
Z THJC
0.01
diode
IGBT
R G = 3.3 ?
200
T J = 125°C
V CEK  < V CES
0.001
100
0.0001
single pulse
0
0
200
400
600
800 1000 1200 V
0.00001
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
300-12
s
1
V CE
FIG. 11   REVERSE BIASED SAFE OPERATING AREA
RBSOA
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.
? 2009 IXYS All rights reserved
t
FIG. 12  TYP. TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE
20090812a
4-4
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